鐵電分析儀技術(shù)說(shuō)明及主要技術(shù)指標(biāo)

 華測(cè)儀器生產(chǎn)銷售的TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電材料基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，適用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷及鐵電器件等分析測(cè)試。

一、鐵電分析儀技術(shù)說(shuō)明：

電壓范圍： +/- 25 V（可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV）；
電滯頻率：5 kHz（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊）；
最小脈沖寬度：2 μs；
最小上升時(shí)間：1 μs；
電流放大范圍：1pA～1A；
最大負(fù)荷電容：1μF；
輸出電流峰值：+/-1 A。

可擴(kuò)展部件：
高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS等。

MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的。
此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試，樣品上的電壓降通過(guò)四點(diǎn)測(cè)試。

RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。
該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 2000E提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道，大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。

以上的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合

二、鐵電分析儀主要技術(shù)指標(biāo)：
電壓范圍：±12V標(biāo)配 （可擴(kuò)展到 +/- 10kV）
測(cè)試頻率：0.01Hz～1000Hz
zui大疲勞測(cè)試頻率：50kHz
zui小脈沖寬度：20μs
輸出電阻：50Ω
zui大電容：100nF
輸出電流：+/-50mA
電流放大器：電流大小范圍：1nA~1A

華測(cè)其它相關(guān)產(chǎn)品：